China Produksi Massal Memory HBM2 Lebih Cepat



China Produksi Massal Memory HBM2 Lebih Cepat - image from: tomshardware - pibitek.biz - Material

image from: tomshardware


336-280
TL;DR
  • CXMT mulai memproduksi massal memory HBM2, lebih cepat dari target awal 2026.
  • CXMT masih ketinggalan dari pesaing dalam teknologi DRAM, seperti Micron dan Samsung.
  • CXMT berhasil memproduksi memory HBM2 dengan desain susun vertikal dan teknologi litografi.

pibitek.biz -Perusahaan pembuat memori asal China, ChangXin Memory Technologies (CXMT), membobol pasar dengan mulai memproduksi massal memory HBM2. Yang menarik, produksi ini dua tahun lebih cepat dari target awal yang diperkirakan pada tahun 2026. Awal tahun ini, CXMT sudah mulai membeli tools yang dibutuhkan untuk pembuatan memory HBM.

Biasanya, butuh setidaknya satu hingga dua tahun untuk memulai produksi massal dengan hasil yang lumayan. CXMT memesan peralatan dari pemasok di AS dan Jepang, termasuk Applied Materials dan Lam Research yang mendapat izin ekspor untuk memasok perlengkapan pabrik. Memproduksi HBM itu rumit.

Perangkat ini lebih besar dari DRAM biasa yang biasanya diproduksi CXMT. Membuat dan merakit basis memory juga menantang. Kemandirian teknologi memory di China sangat tinggi sehingga CXMT mulai memproduksi HBM2 jauh lebih cepat dari jadwal.

Namun, hasilnya belum diketahui. HBM ditakdirkan untuk jadi yang terbaik dalam hal bandwidth. Interfacenya lebarnya 1024-bit dengan kecepatan transfer data tinggi, sekitar 2 GT/s hingga 3,2 GT/s per pin untuk HBM2.

Interface lebar dan desain susun vertikal membuat produksi HBM tidak membutuhkan teknologi litografi terbaru, tapi butuh kapasitas manufaktur yang cukup. Sirkuit terintegrasi DRAM HBM secara fisik lebih besar dari DRAM biasa yang dibuat CXMT. Faktanya, produsen DRAM global terkemuka sering menggunakan teknologi mapan untuk produk HBM2E dan HBM3, jadi kita mungkin melihat hal yang sama dari CXMT.

Namun, produksi HBM tetap membutuhkan teknik pengemasan canggih. Menghubungkan 8 atau 12 perangkat memory vertikal menggunakan TSV kecil adalah proses yang kompleks. Meski begitu, merakit modul KGSD seperti HBM sebenarnya lebih mudah daripada membuat perangkat DRAM menggunakan teknologi proses 10nm.

Dengan produksi HBM2 hari ini, CXMT masih ketinggalan dari pesaing global seperti Micron, Samsung, dan SK Hynix dalam teknologi DRAM. Mereka sudah memproduksi massal HBM3 dan HBM3E, dan bersiap untuk memproduksi massal HBM4 dengan interface 2048-bit dalam beberapa tahun ke depan. Meski begitu, HBM2 adalah teknologi penting untuk China secara umum, terutama untuk prosesor AI dan HPC canggih mereka.